english language   Persian language

 

امتیاز کاربران

ستاره فعالستاره فعالستاره فعالستاره فعالستاره فعال
 

این قطعه جدید Memristor  نام دارد .تا قبل از این کلیه مدارات الکترونیک را با سه قطعه "سلف" و "خازن" و "مقاومت" شبیه سازی می کردند.اما اینک Memristor که یک المان پسیو است به این مجموعه اضافه شده است.اینم رابطه ش   dΦ = M.dq

شاید داشتن اطلاعات در این زمینه، گزینه های مناسب تری را برای محققان عزیز فراهم آورد.

ممریستور

 



  • English (انگلیسی)

    What Are Memristors?

     

    What is a memristor? Memristors are basically a fourth class of electrical circuit, joining the resistor, the capacitor, and the inductor, that exhibit their unique properties primarily at the nanoscale. Theoretically, Memristors, a concatenation of “memory resistors”, are a type of passive circuit elements that maintain a relationship between the time integrals of current and voltage across a two terminal element. Thus, a memristors resistance varies according to a devices memristance function, allowing, via tiny read charges, access to a “history” of applied voltage. The material implementation of memristive effects can be determined in part by the presence of hysteresis (an accelerating rate of change as an object moves from one state to another) which, like many other non-linear “anomalies” in contemporary circuit theory, turns out to be less an anomaly than a fundamental property of passive circuitry.

    Until recently, when HP Labs under Stanley Williams developed the first stable prototype, memristance as a property of a known material was nearly nonexistant. The memristance effect at non-nanoscale distances is dwarfed by other electronic and field effects, until scales and materials that are nanometers in size are utilized. At the nanoscale, such properties have even been observed in action prior to the HP Lab prototypes.

    But beyond the physics of electrical engineering, they are a reconceptualizing of passive electronic circuit theory first proposed in 1971 by the nonlinear circuit theorist Leon Chua. What Leon Chua, a UC Berkeley Professor, contended in his 1971 paper Transactions on Circuit Theory, is that the fundamental relationship in passive circuitry was not between voltage and charge as assumed, but between changes-in-voltage, or flux, and charge. Chua has stated: “The situation is analogous to what is called “Aristotle’s Law of Motion, which was wrong, because he said that force must be proportional to velocity. That misled people for 2000 years until Newton came along and pointed out that Aristotle was using the wrong variables. Newton said that force is proportional to acceleration–the change in velocity. This is exactly the situation with electronic circuit theory today. All electronic textbooks have been teaching using the wrong variables–voltage and charge–explaining away inaccuracies as anomalies. What they should have been teaching is the relationship between changes in voltage, or flux, and charge.”

     

    As memristors develop, its going to come down to, in part, who can come up with the best material implementation. Currently IBM, Hewlett Packard, HRL, Samsung and many other research labs seem to be hovering around the titanium dioxide memristor, but there are quite a few other types of memristors with vectors of inquiry.

  • Persian (فارسی)

    مدار های مجتمع هم شامل قطعات فعال مثل ترانزیستور و هم قطعات غیر فعال ، مقاومت ، خازن و حتی سلف می باشند . این سه عنصر غیرفعال در اکثر مدارات استفاده می شوند و به عنوان سه عنصر اصلی شناخته شده اند و هیچ کس فکر نمی کرد که ممکن است عنصر مداری چهارمی نیز وجود داشته باشد .

     

    در سال 1971 یک پروفسور نه چندان معروف به نام Lean Chua در دانشگاه UC Berkeley مقاله ای منتشر کرد که در آن ادعا می کرد عنصر چهارمی وجود دارد . chua این عنصر را ممریستور نام نهاد . او با توجه به اهمیت وجودی مموریستور ، حتی پیشنهاد کرد که کتابهای تئوری مدار به سبب وجود این عنصر ، باز نویسی شوند . هیچکس توجه جدی روی این کشف علمی نکرد . زیرا نمونه فیزیکی یا مدلی برای ممریستور وجود نداشت . و تنها یه صورت تئوری ریاضی قابل بحث بود . تا اینکه در سال 2008 ، استنلی ویلیامز و همکارانش در کمپانی آمریکایی هولت پاکارد ممریستور را با وسایل فیلم نازک در مقیاس نانو ساختند . آنها یک مدل فیزیکی از ممریستور ارائه دادند و به این ترتیب ممریستور به صورت کامل کشف شد . قابل ذکر می باشد که نقش علم نانو تکنولوژی در پیدایش ممریستور بسیار موثر بود زیرا تنها در مقیاس نانو خواص ممریستور هویدا می شود .در نهایت می توان گفت کشف این عنصر را مدیون پیشرفت علم نانو مواد هستیم . شاید به زودی کتابها بر اساس این کشف جدید ویرایش شوند .

    در این پست 4 مقاله بسیار معتبر را برای شما آماده کرده ایم از جمله :

     

    • مدل سازی مقاومت حافظه دار (ممریستور)
    • کاربرد ممریستور در حافظه های غیر فرار و پیاده سازی گیت های منطقی
    • بررسی ساختار فیزیکی ممریستور و شبیه سازی آن
    • پاورپوینت معرفی ممریستور

     

 

English reference Direct link

جزئیات فایل دانلود

حجم فایل : 2.6MB

نوع فایل : فشرده با فرمت zip.

لینک دانلود :  article- zip format

گزارش خطا : این آدرس ایمیل توسط spambots حفاظت می شود. برای دیدن شما نیاز به جاوا اسکریپت دارید

مرجع فارسی  : www.techno-electro.com

مرجع انگلیسی : www.memristor.org

 

 

دیدگاه‌ها   

Amirhossein Ghasemi
+1 #1 Amirhossein Ghasemi 1392-12-19 01:46
با قرار دادن لینک های مقالات مرجع میتوانید این پست را تکمیل کنید.

باتشکر
نقل قول کردن

نوشتن دیدگاه


تصویر امنیتی
تصویر امنیتی جدید

سایر مطالب مفید

آمار سایت

کاربران
1010
مطالب
63
وب لینک ها
4
نمایش تعداد مطالب
247763

اشتراک گذاری، ایران MEMS

FacebookMySpaceTwitterDiggDeliciousStumbleuponGoogle BookmarksRedditNewsvineTechnoratiLinkedinMixxRSS FeedPinterest

خبرنامه سایت

.:: وبسایت ایران MEMS بعنوان اولین فضای جامع برای بحث و گفتگو در خصوص تکنولوژی MEMS/NEMS و علوم مرتبط است ::.

آمارگیر ایران MEMS

About IranMEMS group

وب سایت ایران MEMS از ابتدای سال میلادی 2014 شروع به کار کرده است.
وبلاگ های ما از سال 2011 شروع به کار کرده بودند، و با تکیه بر دانش و همکاری اساتید داخلی، بر آن شدیم که مجموعه ای پایدار ایجاد کنیم.
هدف این مجموعه ایجاد فضایی یکپارچه و جامع در خصوص تکنولوژی میکرو/نانو الکترومکانیکی برای محققان و دانشجویان فارسی زبان است.

خدمات ایران MEMS عبارتند از :

  • ارائه Hand book و E-book  های معتبر
  • ارائه مطالب تکنولوژی MEMS/NEMS و علوم مرتبط
  • ارائه تالار گفتمان و بحث جهت افزایش راندمان این علم در کشور و تسریع در تحقیقات
  • سعی در پوشش خبری همه پایگاه های معتبر و مرتبط

راه های تماس با گروه ایران MEMS

۵ راه متفاوت برای تماس با گروه ایران MEMS وجود دارد . اولین راه بر روی دکمه پشتیبانی آنلاین سایت کلیلک نموده و با اپراتور ما صحبت نمایید. دومین راه به ایمیل های شرکت که در سایت نیز درج شده اند ایمیل ارسال نمایید. سومین راه مراجعه به صفحه فیس بوک IranMEMS می باشد. چهارمین راه مراجعه به صفحه گوگل پلاس IranMEMS میباشد.

 

آدرس ایمیل ما : این آدرس ایمیل توسط spambots حفاظت می شود. برای دیدن شما نیاز به جاوا اسکریپت دارید
شماره تماس مدیر وبسایت : 09383710351
آدرس سایت رسمی ما : wwwIranMEMS..ir

اطلاعیه Iran MEMS

اطلاعیه Iran MEMS

آیا تمایل به همکاری با ما را دارید؟
مدیر انجمن/مدیر محتوی/ نویسنده / همیار مطلب
برای پیش برد و جمع آوری اطلاعات MEMS / NEMS در این فضا، از شما دعوت بعمل می آید تا در این امر مارا یاری کنید.
درصورت تمایل به ارتقا سطح دسترسی به آدرس Iranmems@gmail.com ، میزان وقت هفتگی و اطلاعات خود را ارسال کنید و سایر جزئیات را در پاسخ ما به ایمیل خود مطلع شوید.
با تشکر از حسن انتخاب شما